7 月 6 日音讯，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）本年 6 月宣告，根据自研铸造法单晶成长与 MOCVD 外延工艺，

  在长晶环节，镓仁半导体依托全球首创的铸造法长晶技能，安稳成长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技能，将衬底出片量提升至原有 3 至 4 倍。此外，铸造法也逐渐下降了贵金属铱的用量，使衬底单片本钱较本来下降 80% 以上，显着下降下流器材厂商的资料本钱。

  在外延环节，镓仁半导体技能团队针对（100）面特征优化要害工艺参数，规划特征 MOCVD 外延工艺，成为全世界首家且仅有一家商用 6 英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的 6 英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于 10 μm，膜厚方差小于 1%，均匀性优异。

  此前，氧化镓同质外延片在全世界内存在尺度小、产能低、均一性差等痛点，很难满意产业化需求。镓仁半导体此次不只完成了 6 英寸氧化镓同质外延片的全球首片交给，更是打通“单晶-衬底-外延”的全流程安稳量产才能，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，批次间质量安稳可控。现在海外多家企业和科研机构已连续下单，多家协作客户已进行了长时间安稳收购。

  ▲ 6 英寸氧化镓同质外延片已完成批量供货（右下角为镓仁 2 英寸外延片比照样）

  IT之家查询揭露资料得悉，杭州镓仁半导体有限公司是一家国产氧化镓资料与设备解决方案提供商，专心于超宽禁带半导体范畴的研制技能与产业化落地。该公司中心产品有：2-8 英寸氧化镓单晶与衬底（其间 8 英寸为世界首发）、氧化镓笔直布里奇曼法（VB 法）长晶设备、2-8 英寸氧化镓同质外延片（其间 8 英寸为世界首发）等，致力于构建“设备-晶体-衬底-外延”全链条产品系统。